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P型半导体，配电如GaN和NiO，被用来与Ga2O3形成p-n异质结，以实现光检测的用途。大面积Ga2O3 PD图像传感器阵列的关键挑战在于难以生长大尺寸的Ga2O3薄膜，分析以及在集成中保持其高均匀性。

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